CVD装置の特徴

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・当該事業を２０２３年４月に積水化学工業様から事業譲受し、当社が常圧CVD装置の
　 製造＆販売して事業運営をしています。
・当社装置の処理対象のウェハサイズは、Φ８，Φ６対応ですが、お客様のご要望にて
　 小口径（Φ６未満）のウェハ対応にカスタマイズして装置のご提供が可能です。
・Face down方式により常圧CVDの処理を行い、膜厚面内均一性ならびにパーティクル
　 低減に寄与する構造を有しています。また、装置のトラブル率は低く、安定稼働に
　 関してもお客様の生産性に寄与します。

CVD装置の性能

・Face down方式により、安定して優位のある膜厚面内均一性を維持することができ、また、ディスパージョンヘッドを２分割することで、
メンテナンスコストを抑える形の構造を有し、装置の維持費用の低減を実現しています。

  • 処理ウェハサイズ　 Φ8、Φ6　（お客様のご要望でφ6以下の小口径対応可能）
  • 使用材料ガス種  　SiH4, O2, B2H6, PH3, N2（お客様のご要望の膜種で対応）
  • 膜厚面内均一性　　≦4%
  • 成膜温度　　　　　300℃～450℃

CVD装置の仕様

株式会社エースCVD装置の表




シリーズ名 AP/S-6130S AP/S-8100ⅡSR AP/S-8200ⅡS
成膜ベース O2-SiH4
プロセス NSG / PSG / BPSG / BSG
用途 半導体デバイス向け（Si / SiC / GaN etc）
リアクター １リアクター １リアクター ２リアクター
３枚バッチ 枚葉 枚葉
ウェハサイズ ６インチ ８インチ ８インチ




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